公司引进数套国外先进的MOCVD设备及LED器件制造工艺设备,建立了具有国际水平的LED研发中心和产品检测与可靠性测试实验室。生产内容涵盖LED外延生长、芯片加工工艺、封装测试等。映瑞光电技术团队成员来自世界各地, 在集成电路制造和外延材料生长方面具有丰富的经验,具备国际水平的技术研发和大规模工业化生产运营的管理能力,并且与LED上、中、下游技术合作伙伴保持稳定的合作关系。同时,公司与“蓝光LED之父”中村修二领导的美国加州大学圣巴巴拉分校的LED研究团队以及其它国际领先技术伙伴保持密切的合作关系。

1、InGaN/GaN多量子阱LED外延片


  • 产品特点:
  • 低缺陷密度
    波长与发光强度一致性好
    蓝光外延片主波长(WD):445~475nm
    绿光外延片主波长(WD):500~530nm 
    正向电压(VF):2.8~3.4V 
    抗静电能力 (ESDHBM ):≥ 2000V 
    外延层厚度:6~8μ m
    图形化蓝宝石衬底厚度:430μm

2、LED芯片


  • 产品特点:
  • 我司生产制造中功率以及大功率蓝光LED芯片,目前拥有垂直芯片、垂直2代芯片、倒装芯片和正装芯片四个系列产品。具体产品型号包括垂直芯片3535/4545/6565等尺寸;垂直倒装5858/8080;倒装芯片3535/4343/5555等;正装芯片2235等。主要应用于电视背光、笔记本背光、手机背光以及手机闪光灯、商业照明、工业照明、居家室内照明和汽车照明等产品领域。

    映瑞光电以服务为导向,可按客户需求,定制特殊规格尺寸芯片。

    • 低正向电压
    • 低发热量
    • 高稳定性与高可靠性
    • 高ESD容限
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